DSA90C200HB
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1
10
100
0 40 80 120 160 200
25°C
0.001
0.010
0.100
100°C
1.000
150°C
10.000
0 102030405060708090
0
20
[W]
40
60(AV)
80
100
0.001 0.01 0.1 1
0.1
1
0 40 80 120 160
0
20
[A]40
60
80
100
IF(AV)
TC
[°C]
t[s]
0 50 100 150 200
100
1000
CT
[pF]
IR
[mA]
IF
[A]
VF
[V]
ZthJC
[K/W]
0.25
0.08
DC
0.33
Single Pulse
d = 0.5
P
D=0.5
0.17
TVJ
=
150°C
125°C
25°C
50°C
75°C
125°C
TVJ=25°C
Fig. 1 Max. forward voltage
drop characteristics
Fig. 2 Typ. reverse current
IR
vs.rev:voltageVR
Fig. 3 Typ. junction capacitance
CT
vs. reverse voltage VR
Fig. 4 Avg. forward current
IF(AV)
vs. case temp. TC
Fig. 5 Forward power loss
characteristics
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles
VR
[
VR
[V]
V]
d =
DC
0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
IF(AV)
[A]
TVJ=175°C
70
Schottky
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20131031d
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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